(ic آیسی حافظه NV_RAM ) حافظه موقت تا آخرین ذره ولتاژ

پژوهشگر و نویسنده:  دکتر  (  افشین رشید)


نکته: آیسی  ic حافظه دسترسی تصادفی غیر فرار به حافظه ای ای اشاره دارد که می تواند داده ها را حتی زمانی که برق تراشه های حافظه قطع شده است نگه دارد.

iC آیسی NVRAM زیر مجموعه ای از دسته بزرگتر حافظه های غیر فرار NV_RAM است که شامل حافظه های کلاس ذخیره سازی مبتنی بر فلش NAND می شود. خواندن و نوشتن تراشه‌ های فلش مموری نسبت به تراشه‌ های RAM کندتر است، بنابراین برای حافظه محاسباتی فعال مناسب‌ تر نیستند.سازندگان مدار الکترونیکی عمدتاً از NVRAM برای نگهداری اطلاعات در مورد وضعیت حافظه موقت برای زمان راه ‌اندازی سریع ‌تر استفاده می‌ کنند. این اجازه می دهد تا اطلاعات مربوط به اجزا و دستگاه های موجود در رایانه از یک کاربری به استفاده دیگر در حالی که برق سیستم خاموش است ذخیره شود. حافظه استاندارد یک مدار هوشمند الکترونیکی از حافظه دسترسی تصادفی پویا RAM استفاده می کند که برای حفظ داده ها نیاز به برق ثابت دارد.




به طور کلی دو نوع ic  آیسی  NVRAM وجود دارد که برای ذخیره سازی حالت حافظه موقت در یک سیستم هوشمند الکترونیکی استفاده می شود: حافظه دسترسی تصادفی استاتیک ( SRAM ) و حافظه فقط خواندنی قابل برنامه ریزی با قابلیت پاک شدن الکتریکی (EEPROM ).





آیسی حافظه SRAM سریع تر از  DRAM است و خواندن از آن بسیار سریعتر است. این امکان خواندن داده ها در سطح بایت را فراهم می کند، در حالی که DRAM به خواندن در سطح صفحه، متشکل از چندین بایت در یک زمان نیاز دارد. با این حال، SRAM نمی ‌تواند داده‌ ها را بدون شارژ الکتریکی نگه دارد، بنابراین با استفاده از باتری برای ثابت نگه داشتن شارژ قطره‌ای، غیر فرار می‌ شود. ساخت ic  آیسی SRAM بسیار گران‌ تر از DRAM است، بنابراین برای برنامه ‌های ذخیره‌ سازی داده ‌های کوچک مانند ذخیره داده ‌های راه‌ اندازی کامپیوتر -- داده ‌های BIOS در رایانه ‌های شخصی ویندوز و داده‌ های پارامتر  PRAM در حافظه مدار های الکترونیکی مناسب ‌تر است.

  • پژوهشگر و نویسنده:  دکتر  (  افشین رشید)

  • دکترایِ  تخصصی نانو _ میکرو الکترونیک