بخش (ترانزیستور های nMOS و ترانزیستور های pMOS)
واکنش و عملکرد ترانزیستور nMOS در جریان ورودی بالا High voltage (خیلی مهم)
پژوهشگر و نویسنده: دکتر ( افشین رشید)
نکته : ترانزیستور اثر میدانی nMOS در ناحیه هدایت خود جریان را عبور می دهند که «کانال» (Channel) نامیده می شود. با اعمال ولتاژ مناسب به گیت، می‌توان این کانال هدایت را بزرگ تر یا کوچک تر کرد. اعمال این ولتاژ گیت به ترانزیستور اثر میدانی nMOS، بر مشخصه الکتریکی کانال اثر خواهد گذاشت و یک میدان الکتریکی حول پایه گیت القا می کند. به همین دلیل است که این ترانزیستور اثر میدانی nMOS، اثر میدان نامیده می شود.
ترانزیستور اثر میدانی nMOS حداقل ولتاژی را که لازم است بین گیت ــ سورس برای (راه اندازی) اعمال شود تا جریان درین برقرار گردد، ولتاژ آستانه شدن ترانزیستور nMOS میگویند در ترانزیستور اثر میدانی nMOS از همین روی، وقتی گیت به عنوان ورودی این ترانزیستور در نظر گرفته می شود، هیچ اثر بارگذاری بر روی طبقات قبلی خود در مدار نمی گذارد و ترانزیستور در این حالت امپدانس ورودی بسیار بالایی دارد. عمده تفاوت ترانزیستور اثر میدانی nMOS با ترانزیستور JFET در این است که گیت ترانزیستور اثر میدانی nMOS توسط لایه ای از اکسید سیلیسیوم (SiO2) از کانال مجزا شده است.
ترانزیستور اثر میدانی nMOS تقریباً رایج ترین ترانزیستور در مدار های دیجیتالی است ، زیرا صد ها هزار یا میلیون ها عدد از آنها ممکن است در یک تراشه حافظه یا ریز پردازنده گنجانده شوند. از آنجا که می توان آنها را از نوع نیمه هادی از نوع p یا نوع n ساخت ، از جفت های مکمل ترانزیستور MOS می توان برای ساخت مدار های سوئیچینگ با مصرف انرژی بسیار کمی ، به شکل منطقی CMOS استفاده کرد.
ترانزیستور اثر میدانی nMOS به دلیل داشتن امپدانس ورودی تقریباً نامتناهی در آمپلی فایرها بسیار مفید هستند که به آمپلی فایر اجازه می دهد تقریباً تمام سیگنال های ورودی را ضبط کند. مزیت اصلی این است که برای کنترل جریان بار ، در مقایسه با ترانزیستورهای دو قطبی ، تقریباً هیچ جریان ورودی نیاز ندارد.
پژوهشگر و نویسنده: دکتر ( افشین رشید)
دکترایِ تخصصی نانو _ میکرو الکترونیک