_ بخش (ترانزیستور های اَثر میدانی)
(ترانزیستور اَثر میدانی nMOS) اعمال ولتاژ مخالف به گیت (گرایش سد در ولتاژ معکوس ترانزیستور و ولتاژ بحرانی)
پژوهشگر و نویسنده: دکتر ( افشین رشید)
نکته : اعمال ولتاژ مخالف به گیت Gate ترانزیستور nMOS با اعمال یک ولتاژ به دوسر (گیت _ سورس) سبب میشود که سد PN را در گرایش معکوس قرار دهیم.
ترانزیستور nMOS یا همان ترانزیستور اثر میدان کانال منفی nMOS ، به دسته‌ای از ترانزیستورها اطلاق می شود . کار کنترل جریان در این قطعات ، توسط یک میدان الکتریکی صورت می‌گیرد.
ترانزیستور nMOS، به دو دسته ی عمده ی : ترانزیستورهای تک‌قطبی و ترانزیستورهای دوقطبی ، تقسیم بندی می شود . گفتنی است ترانزیستور اثر میدان کانال منفی nMOS ، دارای سه پایه ی سورس، درین و گیت هستند . این گروه از ترانزیستورها ، خود به دو گروه ماسفت Mosfet و جی‌فت JFET تقسیم می‌شوند . در این نوع فت ، برخلاف ترانزیستور اثر میدان کانال منفی nMOS دو قطبی پیوندی که کنترل جریان امیتر و کلکتور با جریان ورودی به بیس صورت می‌گیرد ، سورس و درین ، با اعمال ولتاژ به گیت ، کنترل جریان می شوند .
(گرایش سد در ولتاژ معکوس ترانزیستور اثر میدان کانال منفی nMOS)
در ترانزیستور اثر میدان کانال منفی nMOS هر گونه افزایشی در میزان این ولتاژ، گسترش سریعتر لایه سد (ناحیه تهی از حامل های جریان ) در داخل کانال را به همراه دارد و موجب افزایش مقاومت کانال و کاهش جریان درین میشود و با کاهش جریان ولتاژ ،عرض کانال بیشتر میشود و مقاومت کانال را کاهش میدهد. در این شرایط جریان درین بیشتری از مدار میگذرد. و سبب (گرایش سد در ولتاژ معکوس ترانزیستور اثر میدان کانال منفی nMOS ) میشود.
(ولتاژ بحرانی یا Pinch off Voltage)
ولتاژ بحرانی یا Pinch off Voltage اگر ولتاژ جریان گیت درترانزیستور اثر میدان کانال منفی nMOS بیش از حد مجاز باشد یعنی به مقداری که به بسته شدن حداکثری کانال گیت _سورس منجر میشود، ولتاژ بحرانی یا (VP ) میگویند. دراین حالت جریان درین drane به صورت فنی معین،تحمل مقدار ولتاژ بحرانی ثابت میماند. تحمل ولتاژ برای یک FET با شماره فنی مشخصی نمایش داده میشود که در برگهُ اطلاعات آن یا data sheet ( دیتا شیت) موجود میباشد.