(مدار شناسی اِلکترونیک _ تَفسیر ۵۰ نوع مدار) تفسیر مدار ترانزیستور پوش– پول بدون خازن کوپلاژ  (Push Pull) -- خیلی مهم :در مدار جریان افت می کند و باعث می شود جریان ورودی در مدار دچار تضعیف ولتاژ گردد

پژوهشگر و نویسنده:  دکتر  (  افشین رشید)

نکته : در الکترونیک به عملکرد ترانزیستور push pull تقویت کننده فشار-کشش نیز میگویند.
در طبقه ی Push pull پوش – پول، هر ترانزیســتور در نیم سیکل از ســیگنال ورودی هدایت می کند. در ایــن تقویت کننده باید به طور دقیق تنظیم شــوند.ترانزیســتورهای push pull در مدار الکترونیکی تا ســیگنال خروج کاملا متقارن میباشد.در تقویت کننده ی پوش -پول Push pull با ترانزیستورهای مکمل ، چون هر دو ترانزیستور به صورت کلکتور مشترک عمل می کنند مشخصات یکسانی دارند.مشکل اصلی این مدار در این اســت که مقداری از سیگنال ورودی هنگام push pull کردن ترانزیستور جریان افت می کند و باعث می شود جریان ورودی در مدار دچار تضعیف ولتاژ گردد. یک تقویت کننده فشار کششی نوعی از مدار الکترونیکی است. که از یک جفت دستگاه فعال استفاده می کند که به طور متناوب جریان را به یک جریان متصل یا جریان را از آن جذب می کند. این نوع تقویت کننده می تواند هم ظرفیت بار و هم سرعت سوئیچینگ را افزایش دهد.

خروجی های Push-pull در مدار های منطقی  دیجیتال  مانند TTL و CMOS و در بعضی از انواع آمپلی فایر ها وجود دارند و معمولاً به عنوان جفت مکمل ترانزیستور ها در مدار الکترونیکی تحقق می یابند، یکی جریان  متراکم  یا در حال غرق شدن از بار به زمین یا منبع تغذیه منفی و دیگری منبع تغذیه یا منبع جریان را به بار از منبع تغذیه مثبت تأمین می کند.

یک یادآوری ابتدایی از مدار (ترانزیستور push pull) تقویت کننده فشار-کشش


در مدار (ترانزیستور push pull) اتصال بین کلکتور و بیس  با ولتاژ زیاد بــه صورت (معکوس بایاس) صورت میگیرد .در این صورت الکترون هــا جریــان الکتریکی  از نیمه هادی نــوع N به نیمه هادی نوع P وارد می شوند تا مسیر جریان را ببندند.از طرفی چون ناخالصــی نیمه هادی نوع P خیلی کم اســت ، الکترون ها در نیمه هادی نــوع P با حفره ها ترکیب نمی شــوند . هم چنین هنگام ســاخت ترانزیســتورهای (بدون اثر میدانی) ،در ساختمان داخلی ترانزیستور  لایه ی بیس را بســیار نازک در نظر میگیرنــد به طوری که الکترون ها به آســانی وبا نیروی کم میتوانند از آن عبور کنند. چون پتانســیل لایه ی کلکتور مثبت اســت و دامنه آن نیز در مقایســه با پتانســیل بیس بسیار زیاد اســت، 95 درصد الکترون های مربوط به مســیر جریان امیتر _ بیس به راحتی جذب الیه ی کلکتور می شوند و جریان کلکتور را به وجود می آورند. جریان کلکتور از مقاومــت 1KΩ عبور می کند ، 5 درصد جریان باقی مانده از بیس عبور می کند ومدار ورودی را می بندد.بنابراین بایاس معکوس در ترانزیســتور جریانی را که به واســطه یک مقاومت کم در یک مدار تولید شده است را مــی تواند از مدار دیگری با مقاومت بیش تر عبور دهد. نام ترانزیســتور نیز از همین عملکرد انتخاب شده است.اگــر جریــان بیس به اندازه یــک میلی آمپــر تغییر کند ، تغییــرات جریان در کلکتور ممکن اســت بــه 100 میلی آمپر برســد، بعضی از مشــخصات یک ترانزیســتور، به شدت تابع حرارت اســت ، یعنی بــا تغییر حرارت برخی از مشــخصات ترانزیســتور تغییر می کند. روابط بین شــدت جریــان و ولتاژ  اختــلاف پتانســیل و تغییــرات آن ها در یک ترانزیســتور بســتگی به حرارت دارد.

پژوهشگر و نویسنده:  دکتر  (  افشین رشید)

دکترایِ  تخصصی نانو _ میکرو الکترونیک